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熱誘導(dǎo)化學(xué)氣相沉積是用于各種電介質(zhì),半導(dǎo)體和金屬材料的保護涂層的沉積的有力方式，無論是單晶，多晶，無定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳，碳化硅，氮化硼。通過使用合成前體，涂層非常純凈并目滿足半導(dǎo)體工業(yè)的典型要求，根據(jù)工藝參數(shù)，可以有多種層厚度，從單個或幾個原子層到厚度從10納米到數(shù)百微米的固體保護層或功能層，以及厚度達100微米的單片部件，甚至高達數(shù)毫米。

熱誘導(dǎo)的化學(xué)氣相滲透(英語:chemical vaporinfiltration ,CV)是一個與CVD有關(guān)的技術(shù)，以在基體材料滲入多孔或纖維預(yù)成型件以制備由復(fù)合材料制成的部件具有改善的機械性能，耐腐蝕性，耐熱沖擊性和低殘余應(yīng)力。